Nexperia nutzt AIXTRON für 200mm SiC- und GaN-Power 16.07.2024, 07:30 Uhr von EQS News Jetzt kommentieren: 0

Herzogenrath, 16. Juli 2024 – AIXTRON (FSE: AIXA) unterstützt Nexperia beim Ausbau seiner 200mm-Volumenproduktion für Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) Leistungsbauelemente. Der Halbleiterkonzern hat sich für einen Folgeauftrag für AIXTRONs G10-SiC entschieden, ergänzt durch eine weitere Bestellung für AIXTRONs G10-GaN-Anlagengeneration.

Mit den Anlagen von AIXTRON werden sowohl GaN- als auch SiC-Epitaxie-Schichten für die Entwicklung energieeffizienter Feldeffekt- (FET) oder Metall-Oxid-Feldeffekt-Transistoren (MOSFET) der nächsten Generation hergestellt.  Sie kommen in verschiedenen Energieumwandlungsanwendungen – etwa in Rechenzentren, Solarwechselrichtern, Elektrofahrzeugen oder Zügen – zum Einsatz.

Nexperia verfügt über jahrzehntelange Erfahrung in der Entwicklung von Leistungsbauelementen und erzielte im Jahr 2023 einen Umsatz von mehr als 2,1 Milliarden USD. Das Unternehmen hat im Jahr 2019 seinen ersten GaN-FET auf den Markt gebracht, gefolgt im Jahr 2023 vom ersten SiC-MOSFET. Nexperia erweitert sein Portfolio kontinuierlich um neue hochzuverlässige und energieeffiziente Bauelemente.

Der global erfolgreiche Halbleiterkonzern hat seinen Hauptsitz im niederländischen Nijmegen und betreibt Fabriken in Hamburg und im Großraum Manchester (England).  Die AIXTRON-Epitaxie-Anlagen werden in der Nexperia-Wafer Fab in Hamburg installiert und stärken die Halbleiter-Produktionskapazitäten in der Region weiter. Das Unternehmen produziert dort jährlich rund 100 Milliarden diskrete Halbleiter, was etwa einem Viertel der weltweiten Produktion dieser Bauelement-Typen entspricht.

„Wir freuen uns sehr, dass sich mit Nexperia ein zentraler Akteur in der Halbleiterindustrie für unsere Anlagen entschieden hat. Mit unseren G10-Epitaxie-Lösungen kann Nexperia die eigene Wachstumsstrategie mit der Großserienproduktion von Wide-Bandgap-Halbleitern für kommerzielle Anwendungen umsetzen.  Gemeinsam geben wir dabei den Takt für den Übergang der Industrie zu energieeffizienteren SiC- und GaN-Lösungen vor“, sagte Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE.

„Unsere strategische Partnerschaft mit AIXTRON ist für uns von großer Bedeutung, da wir unsere technologischen Fähigkeiten und unsere Marktpräsenz im Bereich der Hochleistungs-Halbleiterproduktion weiter ausbauen. Die Integration der G10-Anlagen wird unsere Entwicklungs- und Produktionskapazitäten für die Wide-Bandgap-Technologie deutlich verbessern. Wir bauen auf AIXTRONs bewährte Homogenität und nutzen die zusätzlichen Produktivitätsgewinne von AIXTRONs G10-Anlagen, um unsere Produktion effizient und kostengünstig zu steigern. Mit den neuen G10-Anlagen in unserer Hamburger Fab können wir unsere Produktionskapazitäten weiter ausbauen", sagte Achim Kempe, COO bei Nexperia B.V.

Ansprechpartner

Medien
Ragah Dorenkamp
Director Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-1830
e-mail r.dorenkamp@aixtron.com

Investoren
Christian Ludwig
Vice President Investor Relations
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail c.ludwig@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und ‑umwandlung, Kommunikation, Signal‑ und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solchezukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor.