ROHM Semiconductor setzt beim Ausbau der eigenen Produktion von GaN-Leistungsbauelementen auf AIXTRONs G10-GaN-Plattform 08.06.2026, 08:30 Uhr von EQS News Jetzt kommentieren: 0

ROHM Semiconductor setzt beim Ausbau der eigenen Produktion von GaN-Leistungsbauelementen auf AIXTRONs G10-GaN-Plattform

Herzogenrath, 8. Juni 2026 – AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein führender Anbieter von Beschichtungsanlagen für die Halbleiterindustrie, gab heute eine strategische Produktionspartnerschaft mit ROHM Semiconductor bekannt, einem weltweit führenden Anbieter von Leistungshalbleiterlösungen. ROHM hat sich für das G10-GaN-Depositionssystem von AIXTRON entschieden, um in seinem Werk in Hamamatsu, Japan, eine eigene GaN-Epitaxie aufzubauen. Das System befindet sich derzeit im Hochlauf für die Serienproduktion von 8-Zoll-GaN-Epitaxiewafern für 650-V- und 100-V-Leistungsbauelement-Plattformen.

ROHM hat sich eine starke Position bei Galliumnitrid-Leistungsbauelementen erarbeitet. Die EcoGaN™-Produktfamilie – darunter 650-V-GaN-HEMTs für Server-Stromversorgungen, Onboard-Ladegeräte und DC-DC-Wandler – adressiert wachstumsstarke Anwendungen in KI-Rechenzentren und elektrischen Antriebssträngen. ROHMs 100V-Produktlinie bedient die wachsende Nachfrage nach hocheffizienten Spannungsreglermodulen (VRMs), die in KI-Beschleunigern und GPU-basierten Computing-Plattformen eingesetzt werden, wo Leistungsdichte, Effizienz und Wärmemanagement zentrale Anforderungen sind.

Bislang stützte sich ROHM bei der Herstellung seiner 650-V-GaN-Bauelemente auf externe Foundry-Partner. Mit dem Aufbau eigener GaN-Epitaxie übernimmt ROHM mehr Kontrolle über einen entscheidenden Teil des Herstellungsprozesses. Die Installation des G10-GaN-Systems von AIXTRON im Werk Hamamatsu unterstützt ROHMs Übergang zu einer verstärkten vertikalen Integration und stärkt die Fähigkeit des Unternehmens, die Produktion für Leistungshalbleiteranwendungen der nächsten Generation zu skalieren.

„Das G10-GaN-System von AIXTRON vereint bewährte Technologie, Skalierbarkeit und einen partnerschaftlichen Ansatz – genau die Kombination, die ROHM benötigt, um bei GaN-Leistungsbauelementen führend zu sein“, sagte Yasushi Hamazawa, Executive Officer bei ROHM Semiconductor. „AIXTRON verfügt nicht nur über weltweit führende Epitaxie-Technologie und strebt eine kontinuierliche Weiterentwicklung an, sondern arbeitet auch aktiv mit uns an der Prozessoptimierung und der langfristigen Abstimmung der Roadmap. Diese Zusammenarbeit wird entscheidend dazu beitragen, unsere Produktwettbewerbsfähigkeit zu stärken und die immer anspruchsvolleren Leistungsanforderungen von KI- und Automobilkunden zu erfüllen.“

„Wir fühlen uns geehrt, dass ROHM AIXTRON für diese strategische Produktionserweiterung ausgewählt hat“, sagte Dr. Felix Grawert, CEO von AIXTRON SE. „Die Entscheidung von ROHM, die GaN-Epitaxie auf unserer G10-GaN-Plattform in Eigenregie durchzuführen, steht für einen entscheidenden Wandel, wie führende Bauelementhersteller ihre Lieferketten für Verbindungshalbleiter absichern. Unsere Partnerschaft mit ROHM verbindet das Prozess-Know-how von AIXTRON mit der bewährten Bauelementtechnologie von ROHM – gemeinsam beschleunigen wir die breite Einführung von GaN-Leistungselektronik.“

Die Zusammenarbeit zwischen AIXTRON und ROHM geht weit über die Lieferung von Produktionsanlagen hinaus. Beide Unternehmen arbeiten eng bei der Prozessoptimierung und der langfristigen Abstimmung ihrer Technologie-Roadmaps zusammen. Die G10-GaN-Plattform von AIXTRON – das serienerprobte System für die Großserienfertigung von GaN-on-Silicon-Epitaxie – bietet die Gleichmäßigkeit, den Durchsatz und die Prozesskontrolle, die für die Herstellung von GaN-Bauelementen mit hoher Durchbruchspannung, niedrigem Durchlasswiderstand und ausgezeichneter thermischer Stabilität erforderlich sind.

Durch die hauseigene GaN-Epitaxie erhält ROHM mehr Kontrolle über die Waferqualität, die Leistungsfähigkeit der Bauelemente und die Produktionsplanung. Dies stärkt die Fähigkeit des Unternehmens, auf Kundenanforderungen in den schnelllebigen Märkten für KI und Automotive- Leistungselektronik zu reagieren, und positioniert ROHM langfristig wettbewerbsfähig im Markt für GaN-Leistungsbauelemente, der bis 2030 voraussichtlich ein Volumen von rund 3 Milliarden US-Dollar erreichen wird.

Kontakt

Christian Ludwig

Vizepräsident Investor Relations & Unternehmenskommunikation

Tel. +49 (2407) 9030-444

E-Mail c.ludwig@aixtron.com

Über AIXTRON:

AIXTRON SE ist ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Herzogenrath (bei Aachen), Deutschland, sowie Tochtergesellschaften und Vertriebsniederlassungen in Asien, den Vereinigten Staaten und Europa. Die Technologielösungen von AIXTRON werden weltweit von einer Vielzahl von Kunden eingesetzt, um fortschrittliche Komponenten für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien herzustellen. Solche Komponenten finden in einem breiten Spektrum innovativer Anwendungen, Technologien und Branchen Verwendung. Dazu gehören Laser- und LED-Anwendungen, Display-Technologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Leistungsmanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signalübertragung und Beleuchtung sowie eine Reihe weiterer Spitzenanwendungen.

Unsere eingetragenen Marken: AIXACT®, AIX-Multi-Ject®, AIXTRON®, Close Coupled Showerhead®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, HXP®, HYPERION®, Multi-Ject®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, TriJet®

Weitere Informationen zu AIXTRON (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) finden Sie auf unserer Website unter: www.aixtron.com.

ROHM‘s EcoGaN™ ist ROHMs Markenname für GaN-Bauelemente, die durch die optimale Nutzung der GaN-Eigenschaften zu Energieeinsparungen und Miniaturisierung beitragen. Sie ermöglichen einen geringeren Stromverbrauch in Anwendungen, kleinere Peripheriekomponenten und einfachere Designs mit weniger Bauteilen.

EcoGaN™ ist eine Marke oder eingetragene Marke von ROHM Co., Ltd.

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