AIXTRON WKN: A0WMPJ ISIN: DE000A0WMPJ6 Forum: Aktien Thema: Hauptdiskussion

Hast du recht. Naja träumen darf man

😁🎈

Freuen können wir uns bei über 20 das 1. Mal

Scheint sich ja wieder sehr positiv auf den Kurs auszuwirken!

Gute News. Mal schauen wie sie sich auswirken. 👌🏽

So ein kleiner Insider Kauf heute gemeldet 10:00 Uhr wäre auch noch nice

Schön zu sehen wie wir uns weiterentwickeln und stets die Zukunft im Blick haben

https://www.boersennews.de/nachrichten/artikel/erste-aixtron-mocvd-anlage-fuer-scandium--und-yttrium-haltige-verbindungshalbleiter-an-der-cornell-universitaet-installiert/4904091/?utm_source=BoersennewsShare&utm_medium=App&utm_campaign=News

…. Wir freuen uns sehr, das CCS MOCVD-Werkzeug von AIXTRON in die Materialwissenschaftliche Fakultät zu integrieren“, sagte Professor Hari Nair, Assistenzprofessor in der Materialwissenschaftlichen Fakultät der Cornell University. „Diese Anschaffung ist ein wichtiger Schritt vorwärts in unserem Engagement für wegweisende Forschung. Die Möglichkeit, Quellenmaterialien mit niedrigem Dampfdruck für Scandium und Yttrium unter kontrollierten Bedingungen in den Reaktor einzubringen, eröffnet neue Wege, die piezoelektrischen und ferroelektrischen Eigenschaften dieser Schichtsysteme zu verbessern. Diese Scandium oder Yttrium enthaltende Schichten sind sehr wünschenswert für elektronische Systeme der nächsten Generation.“ „Wir sind stolz darauf, die Fakultät für Materialwissenschaften der Cornell University mit unserer CCS-MOCVD-Technologie zu unterstützen“, sagte Dr. Felix Grawert, CEO von AIXTRON SE. „Unsere Systeme sind so konzipiert, dass sie den anspruchsvollen Anforderungen der Forschung im Bereich neuer Materialien gerecht werden. Die maßgeschneiderte Hochtemperaturquelle und das fortschrittliche Präkursoren-Management der Quellenmaterialien dieses Tools unterstreichen das Engagement von AIXTRON, das Bearbeiten neuer Materialien zu ermöglichen und Laborinnovationen in industriell relevante Prozesse umzusetzen.“ Die Anschaffung des CCS-MOCVD-Systems durch Cornell ist ein wichtiger Meilenstein im Streben der Universität nach exzellenter Forschung. Die Universität freut sich auf die Entdeckungen, Innovationen und interdisziplinären Kooperationen, die dieses Gerät ermöglichen wird, darunter Partnerschaften mit Industrie und akademischen Einrichtungen weltweit.

EQS-Media / 30.09.2025 / 07:30 CET/CEST Erste AIXTRON MOCVD-Anlage für Scandium- und Yttrium-haltige Verbindungshalbleiter an der Cornell Universität installiert Herzogenrath, 30. September 2025 – Die Cornell University in Ithaca, New York, hat ein hochmodernes Close Coupled Showerhead® (CCS) Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)-System von AIXTRON SE (FSE: AIXA) erworben. Das MOCVD-System wird die Arbeit der Materialwissenschaftlichen Fakultät der Cornell University stärken und ihre Möglichkeiten zur Erforschung und Entwicklung fortschrittlicher scandium- und yttriumhaltigen Materialien mit vielversprechenden Anwendungsmöglichkeiten in der Elektronik erweitern. Die Anschaffung durch die Cornell University ist die erste Installation eines AIXTRON CCS MOCVD-Systems an der Universität und stellt eine bedeutende Aufwertung ihrer Forschungsinfrastruktur dar. Das CCS-System ermöglicht die Abscheidung hochwertiger, hochgradig gleichmäßiger Dünnschichten – eine wesentliche Voraussetzung für bahnbrechende Halbleiter-Bauelemente. Insbesondere die Einbindung von Scandium (Sc) oder Yttrium (Y) in bestimmte Materialsysteme kann die piezoelektrischen Eigenschaften deutlich verbessern. In einigen Berichten wurde bereits gezeigt, dass ein Anteil von wenigen Prozent Scandium die piezoelektrischen Koeffizienten um ein Vielfaches erhöhen kann, was in Transistoren höhere Stromdichten oder den Betrieb bei höheren Frequenzen ermöglicht. Yttrium (Y) spielt ebenfalls eine entscheidende Rolle bei der Anpassung der elektronischen und ferroelektrischen Eigenschaften für energieeffiziente und leistungsstarke elektronische Komponenten. AIXTRONs CCS-MOCVD-System zeichnet sich durch die Möglichkeit aus, Präkursoren mit niedrigem Dampfdruck zu verarbeiten. Gleichzeitig wird das Wachstum bei hohen Partialdrücken von Scandium in Barriereschichten und aktiven Schichten ermöglicht. Für diese Installation wird das MOCVD-System mit einer neu entwickelten Hochtemperaturquelle und einer optimierten Präkursor-Handhabung ausgestattet, die eine stabile, kontrollierbare Einbindung von Sc und Y ermöglichen, ohne die Gleichmäßigkeit der Schicht zu beeinträchtigen. Diese Funktionen ermöglichen es Forschern, Materialien und Bauelement-Designs zu erforschen, die bisher schwer zu realisieren waren. Somit wird eine Brücke zwischen wissenschaftlichen Entdeckungen und skalierbaren Prozessbedingungen geschlagen.

Wird noch dauern, aber ich denke ja

kommt der kI Boom hier an, verglichen mit anderen global Playern wie AMD, Nvidia oder Broadcom?

Seagate geht ab wie Zäpfchen. Hier einfach Nix. Man man man. Das echt zermürbend. Naja time ist my friend

Nix