AIXTRON WKN: A0WMPJ ISIN: DE000A0WMPJ6 Kürzel: AIXA Forum: Aktien Thema: Hauptdiskussion

🙂🎈

Aixtron steigt

Geht erst mal wieder zur 16 hoch, danach wird es spannend.👌👍

Aufgehts

Ironie? 🤔

Krass, wie technologisch, fortschrittlich Aixtron ist. Aktuell viel zu billig die Aktie.😉👌💸

Morgen zusammen weiß jemand was so eine Anlage in etwa kostet? Danke schon mal

https://www.boersennews.de/nachrichten/artikel/aktien-im-fokus--aixtron--suess-und-pva-gefragt---asml-hochstufung-im-blick/4895982/?utm_source=BoersennewsShare&utm_medium=App&utm_campaign=News

Die Aktie sollte man etwas halten und nicht gleich bei etwas Kursgewinn wieder verkaufen.M.E. zeichnet sich eine schrittweise bis deutliche Erholungsphase ab!!

Auszug aus Research Hub: Wir sehen dies jedoch als eine Pause, nicht als eine Entgleisung. Da sich SiC parallel zur breiteren Verbreitung von 800-V-Elektrofahrzeugen erholen wird, GaN mit der Entwicklung von KI-Rechenzentrums-Stromversorgungsarchitekturen überproportional wachsen wird und die Dynamik der Optoelektronik zunimmt, betrachten wir 2026 weiterhin als ein Übergangsjahr mit moderatem Wachstum, vor einer stärkeren Entwicklung ab 2027. Wir bekräftigen unsere Kaufempfehlung und unser Kursziel von 20,00 EUR, was einen attraktiven Einstiegspunkt in langfristiges Wachstum darstellt, indem wir die aktuelle konjunkturelle Schwäche ausnutzen.

Der Zug fährt schön langsam ab ,spreche aber keine Kaufempfehlung aus muss jeder selber wissen.

Wird mal Zeit für die 2 vorne

Achtung: Aufgrund der Markterwartungen und dem hohen Marktanteil von Aixtron sehe ich altuell sehr sehr gute Kurschancen. Bei diesen Kursen kann man noch recht günstig seine Position verbessern. Bleiben Sie zuversichtlich!

🥳🙂🎈

Glückwunsch an Aixtron zur 100. 😎✌️

EQS-Media / 22.09.2025 / 07:30 CET/CEST AIXTRON erreicht Meilenstein: 100. G10-SiC-Anlage ausgeliefert Herzogenrath, 22. September 2025 – AIXTRON SE (FSE: AIXA) liefert sein 100. G10-SiC-System aus. Dieser Meilenstein unterstreicht die starke Marktnachfrage nach der G10-SiC-Epitaxie-Batch-Technologie von AIXTRON in den letzten drei Jahren und stärkt die weltweite Fertigung von Siliziumkarbid-Leistungsbauelementen für die Leistungselektronik der nächsten Generation. AIXTRON, führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gab heute die Auslieferung seines 100. G10-SiC-Systems bekannt. Die Lieferung erfolgte an einen europäischen Hersteller von Leistungsbauelementen und -systemen und dient dem Ausbau seiner Produktionskapazitäten für 200 mm Siliziumkarbid (SiC)-Epitaxie. Dieser Erfolg verdeutlicht die weltweite Nutzung der SiC Planetary Reactor®-Technologie von AIXTRON, die die Herstellung von sehr gleichmäßigem und qualitativ hochwertigem Siliziumkarbidschichten ermöglicht – einem der entscheidenden Schritte zur Produktion effizienter SiC-Leistungshalbleiter. Nur drei Jahre nach Markteinführung ist AIXTRONs fortschrittliche SiC-Epitaxieanlage weltweit bei den meisten Herstellern von SiC-Bauelementen, Halbleiterfertigungsbetrieben und Epitaxie-Dienstleistern im Einsatz. „Die Auslieferung des 100. G10-SiC-Systems ist ein bedeutender Meilenstein für AIXTRON und unsere Kunden“, sagte Dr. Frank Wischmeyer, Vice President Silicon Carbide bei AIXTRON. „Sie zeigt das große Vertrauen des Marktes in unsere Technologie und bestätigt unsere führende Rolle beim globalen Ausbau der SiC-Leistungselektronik – einem zentralen Treiber der fortschreitenden Elektrifizierung unserer Gesellschaft.“ Siliziumkarbid ist ein Halbleiter mit breiter Bandlücke, der die Leistungswandlung in verschiedensten Industriezweigen grundlegend revolutioniert. Dank seiner hohen Effizienz und Leistungsfähigkeit wird es zunehmend in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energiesystemen und industriellen Stromversorgungen eingesetzt. Darüber hinaus findet Siliziumkarbid verstärkt Anwendung in kompakten Hochleistungsanwendungen – etwa bei leistungsstarken Stromversorgungen ab 12kW für KI-basierte Serverfarmen. AIXTRONs G10-SiC-System kombiniert in seiner einzigartigen 6×200mm Multi-Wafer-Batch-Konfiguration höchste Produktionsleistung mit optimaler Qualität und Ausbeute der Epitaxialschichten. Die Multi-Ject®-Technologie sorgt für eine gleichmäßige Schichtbildung über ein breites Spektrum von Spannungsklassen der SiC-Halbleiter. Die Anlage ermöglicht auch die Massenproduktion auf 150-mm-Wafern und garantiert damit Flexibilität während der Umstellung der Branche auf die größeren 200-mm-Waferformate.