AIXTRON WKN: A0WMPJ ISIN: DE000A0WMPJ6 Forum: Aktien Thema: Hauptdiskussion

War jetzt nicht schlecht war ja gut im Plus

Der Markt ist momentan echt krass. An den Techwerten geht's hoch und runter wie in der Achterbahn. Aber es lohnt sich dran festzuhalten weil es immer weiter hoch geht

Niemand hat eine glaskugel. Aber man sollte sich ein Ziel setzen, wie das viele hier machen und dann auch mal warten und nicht beim kleinsten sell verkaufen. ✌️☝️

Zu früh verkauft, hab ja noch welche aber lieber die Taube als den Spatz hätte ja gestern mit nvidia ach anders ausgehen können. Dann viel Glück uns allen 🍀

Leider ist das so. Hauptsache wir profitieren dabei auch mal

Na bitte gleich 19

Die werden hoffentlich kommen

Skalierbare Wachstum

Wir brauchen Aufträge

Die Vola war jetzt schon echt hoch die Wochen

Das stimmt. Da werden wir groß profitieren

Wir werden begeistert sein, wenn KI wirklich in die Fläche rausgeht und die ganzen Small und mit Caps, wie es heute bereits in einem anderen Artikel geschrieben war, davon profitieren werden. Wenn da die Umsätze kommen, geht’s richtig ab für uns.

Aber immer wieder beeindruckend und erschreckend das tatsächlich der gesamte Markt an ein paar Unternehmen hängt

Zwar eine Nvidia collabo, aber immer Ohio USA 😉

EQS-Media / 20.11.2025 / 07:30 CET/CEST Ohio State University wählt AIXTRON CCS-MOCVD-System für die Entwicklung von Galliumoxid-Bauelementen der nächsten Generation Herzogenrath, 20. November 2025 – Die Ohio State University (OSU) hat ein Close Coupled Showerhead® (CCS)-System für die metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) von AIXTRON SE (FSE: AIXA) erworben. Das System wird für die fortschrittliche Epitaxie von Galliumoxid (Ga₂O₃) und Aluminiumgalliumoxid (AlGaO) zur Material- und Geräteentwicklung auf 100 mm-Substraten eingesetzt. Dieses hochmoderne MOCVD-System trägt dazu bei, die Entwicklung von Bauelementen bestehend aus Halbleitern mit breiter oder ultrabreiter Bandlücke zu revolutionieren. Das CCS-MOCVD-System von AIXTRON ist für seine Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit bekannt und ermöglicht die Abscheidung hochwertiger, homogener Dünnschichten für eine breite Palette von Verbundwerkstoffen. Galliumoxid und seine Legierungen zeichnen sich durch überlegene Eigenschaften bei höheren Spannungen, Frequenzen und Temperaturen im Vergleich zu konventionellen Halbleitermaterialien aus. Das neue System wird es den Forschenden der OSU ermöglichen, die Eigenschaften dieser Materialien zu erforschen, neuartige Bauelementarchitekturen zu entwickeln und die Grenzen der Halbleitertechnologie zu erweitern. „Wir haben bereits sehr gute Erfahrungen mit AIXTRON-CCS-Reaktoren für GaAs- und InP-Materialien gemacht. Ihre Reaktoren sind weltweit bekannt für ihre exzellente Gleichmäßigkeit, hohe Materialqualität und große Prozessfenster. AIXTRON hat dies nun auch für Galliumoxid (Ga₂O₃) und Aluminiumgalliumoxid (AlGaO) gezeigt, und wir freuen uns auf die Zusammenarbeit bei der Entwicklung neuartiger Epitaxieschichten und Bauelemente mit diesem System“, sagte Professor Steven A. Ringel, Associate Vice President for Research der Ohio State University und Direktor des Institute for Materials and Manufacturing Research (IMR). Er fügte hinzu: „Wir schätzen insbesondere die Skalierbarkeit der Plattform sowie die Möglichkeit, Wafer mit einem Durchmesser von bis zu 4 Zoll zu verarbeiten. Wir freuen uns darauf, gemeinsam mit AIXTRON den nächsten Schritt zu gehen.“ Dr. Felix Grawert, CEO von AIXTRON SE, kommentierte: „Wir freuen uns sehr, unsere Partnerschaft mit der OSU und den angesehenen Professoren Hongping Zhao, Siddharth Rajan und Steven Ringel bekannt zu geben. Unsere CCS-MOCVD-Anlagen haben durchweg eine herausragende Leistung in der Unterstützung von Spitzenforschung und in der nahtlosen Skalierung hin zu Tier-1-Industrieanwendungen gezeigt. Besonders begeistert sind wir von den vielversprechenden Fortschritten in der Galliumoxid-Technologie, die die nächste Generation von Leistungsbauelementen einläuten. Diese Zusammenarbeit unterstreicht unser Engagement für die Förderung von Innovation sowie die Weiterentwicklung von Forschung und Entwicklung in der Halbleiterindustrie.“ Der für Ga₂O₃-Prozesse ausgelegte MOCVD-Reaktor wird im Nanotech West Lab installiert, einer 3.500 m² großen Shared-User-Facility für die Materialforschungsgemeinschaft der Ohio State University. Das Labor wird vom Institute for Materials and Manufacturing Research (IMR) betrieben, einem multidisziplinären Institut, das Infrastruktur, Entwicklung und Betrieb zentraler Forschungseinrichtungen an der Ohio State University verantwortet.

Moin✌️ die 18 sollten heute deutlich überschritten werden 😁